Polarización cerámica piezoeléctrica

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  • Sistema de medición de resistividad de materiales conductores de alta temperatura MatMeas RMS serie 1000P

    CATEGORÍA Y ETIQUETAS:
    Polarización cerámica piezoeléctrica, Resistencia & Medición de resistividad

    El sistema de medición de cuatro sondas de alta temperatura Partulab RMS-1000P se utiliza principalmente para evaluar la conductividad eléctrica de películas y láminas semiconductoras., El sistema adopta el principio de medición de cuatro sondas en línea y el estándar nacional del método de prueba física de silicio monocristalino y hace referencia al American A.S.T.M.. diseño y desarrollo estándar, Puede darse cuenta de alta temperatura, Condiciones de vacío y atmósfera inerte para medir silicio., monocristal de germanio (bar, oblea) resistividad y silicio El sistema está diseñado y desarrollado con referencia a la norma americana A.S.T.M.. Estándar y puede medir la resistividad de los monocristales de silicio y germanio. (varillas y obleas) y la resistencia cuadrada de las capas epitaxiales de silicio., capas de difusión y capas de implantación de iones, así como la resistencia cuadrada y resistividad del vidrio conductor. (ESTE) y otras películas conductoras bajo alta temperatura, vacío y atmósfera inerte. El sistema es ampliamente utilizado en las universidades., Institutos de investigación y unidades de negocios para estudiar las propiedades eléctricas de materiales semiconductores de películas delgadas y láminas..

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    El sistema de medición de cuatro sondas de alta temperatura MatMeas RMS-1000P se utiliza principalmente para evaluar la conductividad eléctrica de películas y láminas semiconductoras., El sistema adopta el principio de medición de cuatro sondas en línea y el estándar nacional del método de prueba física de silicio monocristalino y hace referencia al American A.S.T.M.. diseño y desarrollo estándar, Puede darse cuenta de alta temperatura, Condiciones de vacío y atmósfera inerte para medir silicio., monocristal de germanio (bar, oblea) resistividad y silicio El sistema está diseñado y desarrollado con referencia a la norma americana A.S.T.M.. Estándar y puede medir la resistividad de los monocristales de silicio y germanio. (varillas y obleas) y la resistencia cuadrada de las capas epitaxiales de silicio., capas de difusión y capas de implantación de iones, así como la resistencia cuadrada y resistividad del vidrio conductor. (ESTE) y otras películas conductoras bajo alta temperatura, vacío y atmósfera inerte. El sistema es ampliamente utilizado en las universidades., Institutos de investigación y unidades de negocios para estudiar las propiedades eléctricas de materiales semiconductores de películas delgadas y láminas..

    Temperatura de medición: RT-600°C/1000°C
    rampa de temperatura: 0-10°C/min (valor típico: 3C/min)
    Precisión del control de temperatura: ±0,5 °C
    Rango de medición de resistencia: 0.1~ 100m
    Rango de medición electropositiva: 1mΩ.cm~100MΩ.cm
    Rango de resistencia cuadrado: 0.1~ 100m
    Entorno de medición: aire, atmósfera que fluye, atmósfera de vacío
    Combinación de medidas: medición combinada de medición eléctrica doble de cuatro sondas
    Tamaño de la muestra: ø15~30mm, d<4hoja o película de mm
    Material del electrodo: aguja de carburo de tungsteno / sonda de platino
    formato de almacenamiento de datos: formato de texto txt
    Transferencia de datos: USB
    Fuente de alimentación: 220V±10%, 50Hz
    Temperatura de funcionamiento: 5C a +40c.
    Temperatura de almacenamiento: -40C a +65C
    Humedad de funcionamiento: hasta 95% humedad relativa a +40°C (sin condensación)
    Tamaño del equipo: 630x640x450mm (LxHxW)
    Peso:38kg
    Garantía: 1 año

     

     

     

     

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