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Matmeas RMS-1000S系列高温半导体材料电阻率测量系统
类别和标签:反抗 & 电阻率测量
RMS-1000S系列半导体电阻率测量系统主要用于评估和测试半导体材料的电导率, 该系统采用四线阻力测量原理来设计和开发, 并可以在高温和真空气氛下测量半导体材料的电阻和电阻率, 并可以通过温度和时间分析正在测试的样品的电阻和电阻率的曲线. 它可以广泛用于硅的电阻率测量 (和), 锗 (GE), 砷耐加仑 (GAAS), 抗二酰胺 (尤其), 患病的, gaasp, 实心溶液半导体，例如GE-SI, GIAAS间隙, 和其他散装材料. 诸如GESI等材料的电阻率测量, GIAAS间隙, ETC.
温度范围: 室温-600℃/1000℃
测试通道: 单通道
电源: 220电压±10%, 50赫兹
升温斜率: 0-10℃/分钟 (典型值: 3℃/分钟)
样本量: φ＜20mm, d＜5mm
工作温度: 5 ℃ 至 + 40 ℃;
控温精度: ± 0.5 ℃
电极材料: 上和下铂电极
储存温度: -40 ℃ 至 +65 ℃
电阻测量范围: 0.1毫欧~100兆欧
温控方式: PID精确控温
工作湿度: +40 ℃, 相对湿度高达 95% (非冷凝)
电阻率测量范围: 1mΩ.cm〜10mΩ.cm
数据存储格式: TXT文本格式
设备尺寸: 630x640x450mm (L×H×W)
测量环境: 空气, 流动的气氛, 真空气氛
数据传输: USB
重量: 38千克
测量方法: 半导体材料2线方法
符合标准: ASTM
保修单: 1 年
- 规格
Matmeas RMS-1000S系列半导体材料电阻率测量系统主要用于评估和测试半导体材料电导率, 该系统采用了设计和开发的四线抵抗方法测量原理, 可以在高温和真空气氛下测量半导体物质电阻和电阻率, 可以随温度和时间变化分析测得的样品电阻和电阻率曲线. 它可以广泛用于硅的电阻率测量 (和), 锗 (GE), 砷 (GAAS), 抗氧化物 (尤其), 患病的, gaasp, 实心溶液半导体，例如GE-SI, GAAS间隙和其他散装材料. 诸如GESI等材料的电阻率测量, GIAAS间隙, ETC.
温度范围: 室温-600℃/1000℃
温度斜坡: 0-10℃/分钟 (典型的: 3℃/分钟)
控温精度: ±0.5℃
电阻测量范围: 0.1毫欧~100兆欧
电阻率测量范围: 1mΩ.cm〜10mΩ.cm
测量环境: 空气, 流动的气氛, 真空气氛
测量方法: 2-半导体材料的电线方法
测试通道: 单通道
样本量: f<20毫米,d<5毫米
电极材料: 上和下铂电极
温控方式: PID精确控温
数据存储格式: TXT文本格式
数据传输: USB
标准: ASTM
电源: 220电压±10%, 50赫兹
工作温度: 5°C 至 +40C.
储存温度: -40°C至 +659c
工作湿度: 最多 95% +40C 时的相对湿度 (没有冷却) 设备尺寸: 630x640x450mm (长x高x宽)
重量: 38千克
保修单: 1 年
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